Ang STT at Tokyo Electron upang makiisa ang proseso ng pagmamanupaktura ng ST-MRAM

Ang kumbinasyon ng teknolohiyang ST-MRAM ng STT at tool ng pagtitiwalag ng PVD MRAM ng TEL ay magpapahintulot sa mga kumpanya na bumuo ng mga proseso para sa ST-MRAM.

Ang STT ay nag-aambag ng kanyang perpendikular na magnetikong tunnel junction (pMTJ) na disenyo at teknolohiya ng paggawa ng aparato, at ang TEL ay nag-aambag ng kanyang ST-MRAM deposition tool at kaalaman ng natatanging mga kakayahan sa pagbuo ng mga magnetikong pelikula.

Ipapakita ng STT at TEL ang mga solusyon na higit na mas siksik kaysa sa iba pang mga solusyon sa ST-MRAM habang tinatanggal ang mga hadlang sa pagpapalit ng SRAM.

Ang mga sub-30nm pMTJ's na ito, 40 hanggang 50 porsyento na mas maliit kaysa sa iba pang mga solusyon sa komersyo, ay dapat maging kaakit-akit sa mga advanced na lohika – ICs at isang makabuluhang hakbang patungo sa paggawa ng mga aparato na ST-MRAM na klase ng DRAM.

STT

"Napalaki ng mga industriya ang mga kakayahan ng SRAM at DRAM na iniiwan ang merkado na bukas para sa susunod na henerasyon ng teknolohiya," sabi ni Tom Sparkman, CEO ng STT, "ang pagkakaroon ng TEL, ang nangungunang supplier ng kagamitan sa pagdeposito ng ST-MRAM sa buong mundo, bilang kasosyo na nagpapabilis sa pagpapaunlad ng teknolohiya ng STT para sa pagpapalit ng SRAM at DRAM. Naniniwala kami na ang pag-aampon ng ST-MRAM ay materyal na lalampas sa kasalukuyang mga inaasahan, at nasasabik kaming makipagtulungan sa TEL upang baguhin ang pagbabago sa merkado ng ST-MRAM sa pamamagitan ng pagkamit ng bilis, kakapalan at pagtitiis na kailangan ng industriya. "

Tokyo Electron

"Kasama ang pangkat ng mga dalubhasa ng STT, kaalaman sa paggawa ng aparato at ang tampok na pag-unlad na on-site, inaasahan naming mapabilis ang pagbuo ng mga mataas na pagganap, mataas na density na mga aparato ng MRAM para sa merkado ng SRAM at sa huli ay DRAM kapalit na merkado." sabi ni TEL's Yoichi Ishikawa.